Высокочистые вещества
Трибромид бора электронной чистоты
ТУ 20.13.52-001-15786532-2020
Химическое соединение высокой чистоты в жидкой форме.
Химическая формула: BBr3
CAS номер: 10294-33-4
Применяется как реагент в производстве высококачественного легированного бором графена по реакции восстановительного сочетания типа Вюрца, а так же в легировании полупроводников, в плазменном травлении полупроводников и в производстве фотоэлектрических элементов.
Тетракис (трифторфосфин) никель
Химическое соединение высокой чистоты в жидкой форме.
Химическая формула: F12NiP4.
Используется для нанесения никелевых слоев при осаждении из газовой фазы, и в качестве рабочего газа при газоцентрифужном обогащении изотопов никеля для производства бета-вольтаических источников тока.
Дихлорид диоксид молибдена
Химическое соединение высокой чистоты в виде хлопьев.
Химическая формула: MoO2Cl2.
CAS номер: 13637-68-8
Применяется в процессе производства элементов питания и дисплеев.
Гексахлордисилан электронной чистоты
ТУ 20.13.52-002-15786532-2020
Химическое соединение высокой чистоты в жидкой форме.
Химическая формула: Si2Cl6.
CAS номер: 13465-77-5
Применяется в процессах химического осаждения из газовой фазы, химического осаждения из газовой фазы при низком давлении, атомно-слоевого осаждения и других процессах, применяемых в производстве полупроводников для осаждения тонких пленок.
Тетрахлорид кремния оптической чистоты
ТУ 20.13.52-003-15786532-2020
Химическое соединение высокой чистоты в жидкой форме.
Химическая формула: SiCl4.
CAS номер: 10026-04-7
Применяется в производстве эпитаксиальных структур, фотоэлектрических элементов и других электронных компонентов.
